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IXTH10P60中文资料

IXTH10P60图片

IXTH10P60外观图

  • 大小：129KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET P-CH 600V 10A TO-247AD
  • 标准包装：30
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：10A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1 欧姆 @ 5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：160nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：4700pF @ 25V
  • 功率 - 最大：300W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-247-3
  • 供应商设备封装：TO-247
  • 包装：管件
  • 其它名称：Q1152201

IXTH10P60供应商

更新时间:2023-01-27 01:08:12
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