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IXTH10P60中文资料

IXTH10P60图片

IXTH10P60外观图

  • 大小:129KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET P-CH 600V 10A TO-247AD
  • 标准包装:30
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:10A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1 欧姆 @ 5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:160nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:4700pF @ 25V
  • 功率 - 最大:300W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 供应商设备封装:TO-247
  • 包装:管件
  • 其它名称:Q1152201

IXTH10P60供应商

更新时间:2023-01-27 01:08:12
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